21世纪经济报道记者 孙燕

8月20日，国内“碳化硅衬底第一股”天岳先进（688234.SH，02631.HK）登陆港股，成为两市唯一“A+H”上市的碳化硅衬底公司。

继2022年年初登陆科创板后，2024年年底，天岳先进披露了赴港上市计划，8个月后正式登陆港交所。

天岳先进本次全球发售4774.57万股H股，发行价为每股42.8港元，募集资金总额约20.4亿港元。截至8月20日收盘，天岳先进H股涨6.4%，收报45.54港元/股。

今年以来，多家碳化硅企业组团赴港上市。不止天岳先进，碳化硅功率器件企业基本半导体、碳化硅外延晶片企业瀚天天成以及天域半导体也向港股发起冲击。

作为第三代半导体材料的一种，碳化硅（SiC）材料因具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，使得基于该材料的功率器件在高效能量转换、快速开关速度、高耐压和低导通损耗方面表现出色，特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域。

在SiC功率器件成本结构中，衬底占比高达47%。银河证券指出，碳化硅（SiC）衬底在SiC器件中占据核心地位，其质量和尺寸直接影响器件性能与成本，技术壁垒和成本结构决定了整个产业的商业化进程。

天岳先进自2010年成立以来，一直专注于研发及生产碳化硅衬底。根据弗若斯特沙利文的资料，按2024年碳化硅衬底的销售收入计，天岳先进是全球排名前三的碳化硅衬底制造商，市场份额为16.7%。

其透露，该公司的客户主要利用碳化硅衬底制造功率器件及射频器件，这些器件最终应用于电动汽车、AI数据中心及光伏系统等领域的终端产品。

目前，碳化硅下游需求近80%来自新能源汽车。2025年1-5月，我国新能源上险乘用车主驱模块中，SiC MOSFET占比为18.6%。而随着800V以上高压车型的渗透率提升，碳化硅器件在电驱系统的渗透率也将持续提升。

其次来自AI。随着全球AI市场规模的快速增长，数据中心对电力需求也在快速走高。在数据中心中，传统硅基供电系统效率约为85%至88%，有12%至15%的电能以热能形式浪费。碳化硅功率器件的应用一方面能提升能源效率，另一方面能支持AI服务器对机架电源的功率密度要求。

此外，天岳先进还在拓展AR眼镜等新兴领域。

天岳先进预计，从2024年到2030年，xEV领域将继续引领全球碳化硅功率半导体器件市场的增长，光伏储能、电网、轨道交通领域也表现出强劲的增长势头，家用电器、低空飞行和数据中心等碳化硅功率半导体器件新兴应用领域将展现出最快的增长速度。

2022年、2023年、2024年，天岳先进分别实现收入4.17亿元、12.51亿元、17.68亿元，逐年增长。

其中，近三年间天岳先进的收入主要来自导电型碳化硅半导体材料，其次来自半绝缘型碳化硅半导体材料。导电型碳化硅衬底主要用于功率半导体器件，可广泛应用于电动汽车、AI数据中心、光伏系统、轨道交通、电网及家电等领域；半绝缘型碳化硅衬底主要用于射频半导体器件，应用于电信等领域。

而在2025年第一季度，半绝缘型碳化硅半导体材料的收入贡献从2024年第一季度的6.8%增长至17.2%。天岳先进解释道，主要由于下游对射频电子元件的采购量增加。

尽管收入逐年增长，但2022年、2023年，天岳先进分别亏损1.76亿元、0.46亿元。直至2024年，天岳先进扭亏为盈，实现净利润1.79亿元。

“在这个阶段，能够实现盈利不容易。”在2024年度暨2025年第一季度业绩说明会上，天岳先进董事长兼总经理宗艳民坦言。

在此背后，近年来，中国碳化硅衬底市场经历了显著的价格调整，天岳先进销售的衬底价格也持续下跌：2022年、2023年、2024年，该公司碳化硅衬底的销量分别为6.38万片、22.63万片、36.12万片，但平均售价分别为每片5110.4元、4798.0元、4080.1元。

但对于价格下降，天岳先进颇为乐观。其在招股书中表示，衬底价格下降将推动更多下游场景采用碳化硅衬底。

此次登陆港股，天岳先进拟将所募资金一部分用于海外产能建设，持续绑定海外龙头客户的战略规划；一部分将投入大尺寸产品的进一步研发，确保技术代际领先。

碳化硅衬底尺寸是衡量技术领先的重要指标。在这一指标上，天岳先进领先业内，于2015年实现4英寸碳化硅衬底量产、2021年实现6英寸碳化硅衬底量产、2023年实现8英寸碳化硅衬底量产，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底。

天岳先进表示，所募资金的一部分将用于扩张8英寸及更大尺寸碳化硅衬底的产能——8英寸及更大尺寸的碳化硅衬底因具有更高产出率、降低边缘损耗及提升器件性能等优势，正逐步取代4英寸及6英寸碳化硅衬底，成为行业新焦点。