格力：已建立SiC SBD和MOS芯片工艺平台，董明珠卸任零边界董事长
近日，格力电器在芯片领域的战略布局迎来关键性人事调整与技术突破。格力电器披露，已成功建立起碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工艺平台，部分产品不仅实现内部批量使用，更已为多家芯片设计公司提供晶圆流片制造服务，这标志着格力在第三代半导体战略已正式进入量产阶段。
与此同时，格力电器董事长兼总裁董明珠卸任格力电器全资子公司珠海零边界集成电路有限公司（以下简称“零边界”）的法定代表人及董事长职务，由格力电器副总裁李绍斌接任。
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格力电器在芯片研发方面有着明确的战略规划。公开资料显示，格力电器最早在2015年便开始布局芯片研究，最初从硅基芯片入手，逐步积累技术经验。2018年起，格力陆续参与多个碳化硅项目，正式进军第三代半导体领域。其投资30亿元参与闻泰科技收购安世半导体，布局功率芯片；注资湖南国芯半导体，瞄准IGBT和碳化硅；认购三安光电20亿元定增，切入LED芯片。
同年，格力正式成立珠海零边界微电子有限公司，专攻工业级MCU、AIoT芯片。零边界并非一家传统的初创公司，它脱胎于格力通信技术研究院的微电子所和功率半导体所，是格力电器实现芯片自主可控战略的核心载体。其业务涵盖广泛，包括工业级32位MCU、AIoT SoC芯片和功率器件的设计研发、软件方案、系统应用、生产质量及市场销售。
在产品方面，零边界已推出了EP系列功率器件，覆盖600V和1200V电压平台的高可靠性Trench Field-Stop IGBT、FRD（快恢复二极管）和IPM（智能功率模块）。更值得一提的是，2024年，零边界承担的“空调主控芯片国产化”项目取得突破，部分产品已实现量产应用，为格力电器核心家电产品的国产化替代提供了坚实支撑。
2025年6月，董明珠卸任珠海零边界集成电路有限公司法定代表人及董事长职务，由格力电器副总裁李绍斌接任。 这一调整标志着零边界将进入更为独立和专业化的市场运营阶段，有助于其在竞争激烈的芯片市场中灵活应变并加速发展。
格力在SiC芯片领域的雄心，体现在其全球领先的制造能力上。位于珠海高新区的6英寸SiC芯片工厂是亚洲首座全自动化IDM（垂直整合制造）工厂，从2022年7月奠基至2024年12月通线仅用388天。这座投资55亿元、占地20万平方米的工厂规划年产24万片SiC晶圆，目前良率稳定在99.6%，且单片制造成本较行业平均水平低18%，这为格力SiC芯片的成本控制和市场竞争力奠定了坚实基础。
格力自研的SiC芯片已在家用空调中实现规模化应用，装机量突破100万台，显著提升了空调的能效和性能。此外，格力正积极将SiC技术延伸至新能源汽车、光伏储能等更广阔领域。例如，其“无稀土+碳化硅”技术矩阵在深圳地铁12号线应用，预计每年可节电1500万元。